IXFT13N100 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFT13N100، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFT13N100 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFT13N100 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFT13N100
- رقم القطعة:
- IXFT13N100
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 55146 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFT13N100.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 4mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 900 mOhm @ 500mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 300W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| اسماء اخرى: | Q2093962 |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 155nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 1000V 12.5A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFT13N100
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFT150N20T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 150A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT150N25X3HV | IXYS Corporation | 250V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT120N15P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 150V 120A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT150N30X3HV | IXYS Corporation | 300V/150A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT100N30X3HV | IXYS Corporation | 300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT14N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 14A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT12N90Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 900V 12A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFR9N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247 | تحقيق |
|
IXFT10N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT140N10P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 140A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT120N25X3HV | IXYS Corporation | 250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT120N30X3HV | IXYS Corporation | 300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT13N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 13A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT12N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | تحقيق |
|
IXFT140N20X3HV | IXYS Corporation | 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFT12N100 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268 | تحقيق |
 |
IXFT150N17T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH | تحقيق |
|
IXFT15N100Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268 | تحقيق |
|
IXFT12N100F | IXYS RF | MOSFET N-CH 1000V 12A TO268 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات