IXFQ23N60Q متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFQ23N60Q، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFQ23N60Q عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFQ23N60Q مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFQ23N60Q
- رقم القطعة:
- IXFQ23N60Q
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23097 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFQ23N60Q.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | - |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-268 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | - |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFQ23N60Q
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFQ24N50P2 | IXYS Corporation | 500V POLAR2 HIPERFETS | تحقيق |
|
IXFQ22N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 22A TO3P | تحقيق |
 |
IXFQ120N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ34N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 34A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ30N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 30A TO3P | تحقيق |
 |
IXFP90N20X3M | IXYS Corporation | 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFQ21N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ12N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 12A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ14N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 14A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ140N20X3 | IXYS Corporation | 200V/140A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFQ24N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 24A TO-3P | تحقيق |
|
IXFP90N20X3 | IXYS Corporation | 200V/90A ULTRA JUNCTION X3-CLASS | تحقيق |
|
IXFQ10N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 10A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ50N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 50A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ28N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 28A TO3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ26N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 26A TO-30 | تحقيق |
|
IXFQ24N60X | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 24A TO-3P | تحقيق |
|
IXFQ20N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-3P | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS