العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Hrvatska Ελλάδα✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFN48N55
IXFN48N55
IXFN48N55
رقم القطعة:
IXFN48N55
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH 550V 48A SOT-227B
حالة خالية من الرصاص:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
كمية المخزون:
50059 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
المهلة:
4-8 weeks
ورقة البيانات:
IXFN48N55.pdf
تحقيق

المقدمة

IXFN48N55 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFN48N55، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFN48N55 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFN48N55 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]

مواصفات

شرط New & Original, tested
بلد المنشأ Contact us
بمناسبة التعليمات البرمجية Send by email
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 8mA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:SOT-227B
سلسلة:HiPerFET™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:110 mOhm @ 500mA, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):600W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:SOT-227-4, miniBLOC
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Chassis Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:8900pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:330nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):550V
وصف تفصيلي:N-Channel 550V 48A (Tc) 600W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:48A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFN48N55

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFN52N90P Image IXFN52N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 43A SOT227 تحقيق
IXFN56N90P Image IXFN56N90P IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50U2 Image IXFN48N50U2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80P Image IXFN44N80P IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B تحقيق
IXFN48N60P Image IXFN48N60P IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227 تحقيق
IXFN55N50F Image IXFN55N50F IXYS RF MOSFET N-CH 500V 55A SOT227B تحقيق
IXFN55N50 Image IXFN55N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 55A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50U3 Image IXFN48N50U3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN50N120SIC Image IXFN50N120SIC IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFN50N50 Image IXFN50N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B تحقيق
IXFN44N50U3 Image IXFN44N50U3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN50N80Q2 Image IXFN50N80Q2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50Q Image IXFN48N50Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80Q3 Image IXFN44N80Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 37A SOT-227 تحقيق
IXFN44N60 Image IXFN44N60 IXYS Corporation MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN48N50 Image IXFN48N50 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 48A SOT-227B تحقيق
IXFN44N80 Image IXFN44N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN50N120SK Image IXFN50N120SK IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFN44N50U2 Image IXFN44N50U2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 500V 44A SOT-227B تحقيق
IXFN520N075T2 Image IXFN520N075T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH 75V 480A SOT227 تحقيق

Latest الأخبار