IXFK110N07 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFK110N07، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFK110N07 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFK110N07 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFK110N07
- رقم القطعة:
- IXFK110N07
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 37890 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFK110N07.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 8mA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-264AA (IXFK) |
| سلسلة: | HiPerFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6 mOhm @ 55A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 500W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-264-3, TO-264AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 9000pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 480nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 70V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 70V 110A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFK110N07
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFK100N10 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK100N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 100A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK120N25P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK140N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 140A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK140N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 140A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK100N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 100A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK120N20 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA | تحقيق |
|
IXFK102N30P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 102A TO-264 | تحقيق |
 |
IXFJ80N20Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-220 | تحقيق |
|
IXFJ80N10Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-220 | تحقيق |
|
IXFK120N20P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 200V 120A TO-264 | تحقيق |
 |
IXFJ80N25X3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 44A TO247 | تحقيق |
|
IXFJ40N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CHANNEL 300V 40A TO268 | تحقيق |
|
IXFK120N30P3 | IXYS | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXFJ52N30Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH TO-220 | تحقيق |
|
IXFK120N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXFJ40N30 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 40A TO-220 | تحقيق |
|
IXFK120N30T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 300V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK120N25 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 120A TO-264 | تحقيق |
|
IXFK140N25T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 250V 140A TO264 | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة