IXFH220N06T3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXFH220N06T3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXFH220N06T3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXFH220N06T3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXFH220N06T3
- رقم القطعة:
- IXFH220N06T3
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- 60V/220A TRENCHT3 HIPERFET MOSFE
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 46186 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXFH220N06T3.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247 |
| سلسلة: | HiperFET™, TrenchT3™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 100A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 440W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 8500pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 136nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 60V 220A (Tc) 440W (Tc) Through Hole TO-247 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 220A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXFH220N06T3
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFH22N55 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 550V 22A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH220N20X3 | IXYS Corporation | 200V/220A ULTRA JUNCTION X3-CLAS | تحقيق |
|
IXFH23N60Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N85X | IXYS Corporation | 850V/20A ULTRA JUNCTION X-CLASS | تحقيق |
|
IXFH20N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH20N50P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH22N60P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N100P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 1000V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH21N50 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH22N65X2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 650V 22A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH21N50Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 21A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N60Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N80P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 20A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH21N50F | IXYS RF | MOSFET N-CH 500V 21A TO247 | تحقيق |
|
IXFH230N075T2 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 75V 230A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH20N60 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD | تحقيق |
|
IXFH230N10T | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 100V 230A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH22N50P | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH23N80Q | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 800V 23A TO-247 | تحقيق |
|
IXFH22N60P3 | IXYS Corporation | MOSFET N-CH 600V 22A TO247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات