IXDR502D1B متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IXDR502D1B، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IXDR502D1B عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IXDR502D1B مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IXDR502D1B
- رقم القطعة:
- IXDR502D1B
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IC GATE LS DRVR SGL 2A 6-DFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 23711 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IXDR502D1B.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد (VCC / VDD): | Not Required |
| الجهد - تحميل: | 4.5 V ~ 25 V |
| تبديل نوع: | General Purpose |
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-DFN (4x5) |
| سلسلة: | - |
| رديز أون (تيب): | 3 Ohm |
| نسبة - الإدخال: إخراج: | 1:1 |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 6-VDFN Exposed Pad |
| نوع المخرجات: | - |
| تكوين الناتج: | Low Side |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| عدد من المخرجات: | 1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | On/Off |
| نوع المدخلات: | Inverting |
| الميزات: | - |
| حماية الأخطاء: | - |
| الحالي - الناتج (ماكس): | 500mA |
| رقم جزء القاعدة: | IXD*502 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIXDR502D1B
Latest الأخبار
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU