IX2B11S7T/R متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IX2B11S7T/R، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IX2B11S7T/R عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IX2B11S7T/R مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IX2B11S7T/R
- رقم القطعة:
- IX2B11S7T/R
- الصانع:
- IXYS Corporation
- وصف:
- IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54533 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IX2B11S7T/R.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | - |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | - |
| نوع البوابة: | - |
| تكوين مدفوعة: | - |
| وصف تفصيلي: | Gate Driver IC 14-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | - |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | - |
| رقم جزء القاعدة: | IX2*11 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIX2B11S7T/R
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IX2R11M6 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP | تحقيق |
|
IX2A11S1T/R | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC | تحقيق |
|
IX2D11S7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC | تحقيق |
|
IX2B11P7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP | تحقيق |
|
IX2A11P1 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP | تحقيق |
|
IX2D11P7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14DIP | تحقيق |
|
IX2R11P7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 14DIP | تحقيق |
|
IX2C11S1T/R | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC | تحقيق |
 |
IX21844N | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC | تحقيق |
|
IX21844G | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR HALF 600V 14DIP | تحقيق |
|
IX2B11S7 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC | تحقيق |
|
IX2R11S3 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-SOIC | تحقيق |
|
IX2C11P1 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8DIP | تحقيق |
|
IX2R11M6T/R | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE 2A 16-MLP | تحقيق |
|
IX21844NTR | IXYS Integrated Circuits Division | IC GATE DVR HALF 600V 14SOIC | تحقيق |
|
IX2204NE | IXYS Integrated Circuits Division | IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC | تحقيق |
|
IX2204NETR | IXYS Integrated Circuits Division | IC IGBT GATE DVR DUAL 16SOIC | تحقيق |
|
IX2A11S1 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC | تحقيق |
|
IX2C11S1 | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 8-SOIC | تحقيق |
|
IX2D11S7T/R | IXYS Corporation | IC DRVR HALF BRIDGE GATE 14-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي