ISOW7843FDWE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISOW7843FDWE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISOW7843FDWE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISOW7843FDWE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISOW7843FDWE
- رقم القطعة:
- ISOW7843FDWE
- الصانع:
- TI
- وصف:
- HIGH-EFFICIENCY, LOW-EMISSIONS,
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 27000 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISOW7843FDWE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العزلة: | 5000Vrms |
| اكتب: | General Purpose |
| تكنولوجيا: | Capacitive Coupling |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | * |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 4ns, 4ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس): | 4.7ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 17.6ns, 17.6ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| اسماء اخرى: | 296-47613 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 30 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| عزل عزل، باور: | Yes |
| المدخلات - الجانب 1 / الجانب 2: | 1/3 |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Digital Isolator 5000Vrms 4 Channel 100Mbps 100kV/µs CMTI 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| معدل البيانات: | 100Mbps |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 100kV/µs |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISOW7843FDWE
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة