ISL54057IRUZ-T متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISL54057IRUZ-T، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISL54057IRUZ-T عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISL54057IRUZ-T مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISL54057IRUZ-T
- رقم القطعة:
- ISL54057IRUZ-T
- الصانع:
- Intersil
- وصف:
- IC SWITCH 4X1 16UTQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45034 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISL54057IRUZ-T.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | 1.6 V ~ 3.6 V |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | - |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 27ns, 18ns |
| تبديل الدائرة: | SP4T |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-UTQFN (2.6x1.8) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | 16-UFQFN |
| اسماء اخرى: | ISL54057IRUZ-TCT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 750 mOhm |
| عدد الدوائر: | 1 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 4:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | 1 Circuit IC Switch 4:1 750 mOhm 16-UTQFN (2.6x1.8) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 4nA |
| الحديث المتبادل: | -100dB @ 100kHz |
| شحن الحقن: | - |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 90 mOhm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 44pF, 149pF |
| رقم جزء القاعدة: | ISL54057 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISL54057IRUZ-T
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL54054IHZ-T | Intersil | IC SWITCH SPDT SGL SOT23-6 | تحقيق |
 |
ISL54059IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPDT 10UTQFN | تحقيق |
|
ISL54051IHZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST SGL SOT23-6 | تحقيق |
 |
ISL54060IRTZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10TDFN | تحقيق |
|
ISL54061IRTZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10TDFN | تحقيق |
 |
ISL54051IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST 6UTDFN | تحقيق |
|
ISL54053IHZ-T | Intersil | IC SWITCH SPDT SGL SOT23-6 | تحقيق |
|
ISL54053IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH SPDT 6UTDFN | تحقيق |
|
ISL54061IRTZ | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10TDFN | تحقيق |
 |
ISL54058IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL 4X1 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL54060IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10UTQFN | تحقيق |
|
ISL54056IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH QUAD SPDT 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL54052IHZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST SGL SOT23-6 | تحقيق |
|
ISL54060IRTZ | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10TDFN | تحقيق |
|
ISL54061IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 10UTQFN | تحقيق |
|
ISL54055IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST 6UTDFN | تحقيق |
|
ISL54059IRTZ | Intersil | IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN | تحقيق |
|
ISL54052IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST 6UTDFN | تحقيق |
|
ISL54054IRUZ-T | Intersil | IC SWITCH SPST 6UTDFN | تحقيق |
|
ISL54059IRTZ-T | Intersil | IC SWITCH DUAL SPDT 10TDFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل