ISL23425WFVZ-TK متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISL23425WFVZ-TK، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISL23425WFVZ-TK عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISL23425WFVZ-TK مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISL23425WFVZ-TK
- رقم القطعة:
- ISL23425WFVZ-TK
- الصانع:
- Intersil
- وصف:
- IC DGTL POT 256POS 10K 14TSSOP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30123 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISL23425WFVZ-TK.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 1.2 V ~ 5.5 V, 1.7 V ~ 5.5 V |
| تسامح: | ±20% |
| معامل درجة الحرارة (تيب): | 125 ppm/°C |
| تفتق: | Linear |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-TSSOP |
| سلسلة: | XDCP™ |
| المقاومة - ممسحة (أوم) (نوع): | 70 |
| المقاومة (أوم): | 10k |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد الصنابير: | 256 |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| الصانع المهلة القياسية: | 3 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| السطح البيني: | SPI |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Digital Potentiometer 10k Ohm 2 Circuit 256 Taps SPI Interface 14-TSSOP |
| ترتيب: | Potentiometer |
| رقم جزء القاعدة: | ISL23425 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISL23425WFVZ-TK
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISL23428TFVZ | Intersil | IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP | تحقيق |
 |
ISL23425UFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23428TFVZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425UFVZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT DUAL 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425UFVZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23428UFVZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 2CH 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425UFVZ | Intersil | IC DGTL POT 256POS 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23428TFVZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 2CH 100K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23428UFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 2CH 50K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23425TFVZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 100K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425UFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT DUAL 50K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23425WFVZ | Intersil | IC DGTL POT 256POS 10K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23428UFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 2CH 50K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23425WFVZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT DUAL 10K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425WFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT DUAL 10K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23428UFVZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 2CH 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23428TFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 2CH 100K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23428UFVZ | Intersil | IC DGTL POT 2CH 50K 14TSSOP | تحقيق |
|
ISL23425WFRUZ-TK | Intersil | IC DGTL POT 256POS 10K 16UTQFN | تحقيق |
|
ISL23428TFRUZ-T7A | Intersil | IC DGTL POT 2CH 100K 16UTQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل