ISC1812BN330J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISC1812BN330J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISC1812BN330J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISC1812BN330J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISC1812BN330J
- رقم القطعة:
- ISC1812BN330J
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 33UH 202MA 1.72 OHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 31013 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISC1812BN330J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1812 |
| حجم / البعد: | 0.177" L x 0.126" W (4.50mm x 3.20mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | ISC-1812 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 50 @ 2.52MHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 1812 (4532 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 2.52MHz |
| الحث: | 33µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.134" (3.40mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 12MHz |
| وصف تفصيلي: | 33µH Shielded Wirewound Inductor 202mA 1.72 Ohm Max 1812 (4532 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 1.72 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 202mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISC1812BN330J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1812BN3R3K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 357MA 550 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN2R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 390MA 460 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN391K | Dale / Vishay | FIXED IND 390UH 92MA 8.2 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1812BN271J | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN331K | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 96MA 7.54 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN270J | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN221J | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN330K | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 202MA 1.72 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN2R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 378MA 490 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN221K | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 105MA 6.3 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN270K | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 212MA 1.56 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN391J | Dale / Vishay | FIXED IND 390UH 92MA 8.2 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1812BN3R3J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 357MA 550 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN390K | Dale / Vishay | FIXED IND 39UH 192MA 1.89 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN390J | Dale / Vishay | FIXED IND 39UH 192MA 1.89 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN3R9J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 344MA 590 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN2R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 378MA 490 MOHM | تحقيق |
|
ISC1812BN271K | Dale / Vishay | FIXED IND 270UH 101MA 6.9 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN331J | Dale / Vishay | FIXED IND 330UH 96MA 7.54 OHM | تحقيق |
|
ISC1812BN2R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 390MA 460 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة