ISC1210EBR56M متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISC1210EBR56M، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISC1210EBR56M عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISC1210EBR56M مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISC1210EBR56M
- رقم القطعة:
- ISC1210EBR56M
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 41716 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISC1210EBR56M.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | ISC-1210 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 40 @ 25.2MHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 1210 (3225 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron Powder |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25.2MHz |
| الحث: | 560nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.095" (2.41mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 200MHz |
| وصف تفصيلي: | 560nH Shielded Wirewound Inductor 455mA 460 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 460 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 455mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISC1210EBR56M
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1210EBR47J | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR47M | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR39M | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR47K | Dale / Vishay | FIXED IND 470NH 460MA 440 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210ER101J | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210EBR82J | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR82M | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210ER100J | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210EBR33J | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR39K | Dale / Vishay | FIXED IND 390NH 465MA 400 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210ER101K | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 80MA 12 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210EBR56J | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR68K | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR68M | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210ER100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 185MA 2 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210EBR68J | Dale / Vishay | FIXED IND 680NH 450MA 480 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR56K | Dale / Vishay | FIXED IND 560NH 455MA 460 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR82K | Dale / Vishay | FIXED IND 820NH 450MA 500 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR33K | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210EBR33M | Dale / Vishay | FIXED IND 330NH 475MA 360 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات