ISC1210BN56NK متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISC1210BN56NK، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISC1210BN56NK عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISC1210BN56NK مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISC1210BN56NK
- رقم القطعة:
- ISC1210BN56NK
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 29672 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISC1210BN56NK.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | ISC-1210 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 40 @ 50MHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 1210 (3225 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Non-Magnetic |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 50MHz |
| الحث: | 56nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.095" (2.41mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 1GHz |
| وصف تفصيلي: | 56nH Shielded Wirewound Inductor 485mA 280 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 280 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 485mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISC1210BN56NK
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1210BN3R9J | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN820J | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 85MA 11 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN3R9K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 250MA 1.2 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN68NK | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN4R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN470K | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN3R3K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 270MA 1.1 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN5R6J | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN560J | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN5R6K | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 210MA 1.4 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN6R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 205MA 1.6 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN68NM | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 475MA 350 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 220MA 1.25 OHM | تحقيق |
|
ISC1210BN470J | Dale / Vishay | FIXED IND 47UH 100MA 8 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN680J | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 90MA 10 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN56NM | Dale / Vishay | FIXED IND 56NH 485MA 280 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN47NM | Dale / Vishay | FIXED IND 47NH 495MA 260 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 95MA 10 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM