ISC1210BN1R8K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ISC1210BN1R8K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ISC1210BN1R8K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ISC1210BN1R8K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ISC1210BN1R8K
- رقم القطعة:
- ISC1210BN1R8K
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 32059 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ISC1210BN1R8K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 1210 |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | ISC-1210 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 30 @ 7.96MHz |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 1210 (3225 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Iron Powder |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 7.96MHz |
| الحث: | 1.8µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.095" (2.41mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 85MHz |
| وصف تفصيلي: | 1.8µH Shielded Wirewound Inductor 350mA 850 mOhm Max 1210 (3225 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 850 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 350mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لISC1210BN1R8K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ISC1210BN220J | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN330J | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN180K | Dale / Vishay | FIXED IND 18UH 155MA 2.7 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN2R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN15NM | Dale / Vishay | FIXED IND 15NH 720MA 120 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN2R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN270K | Dale / Vishay | FIXED IND 27UH 125MA 3.3 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN1R0J | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN1R5J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN1R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN2R7J | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 290MA 1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN18NK | Dale / Vishay | FIXED IND 18NH 690MA 130 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN1R0K | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 400MA 600 MOHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN330K | Dale / Vishay | FIXED IND 33UH 115MA 5.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN220K | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 150MA 3.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ISC1210BN22NK | Dale / Vishay | FIXED IND 22NH 640MA 150 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN1R8J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 350MA 850 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN2R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 320MA 900 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN1R5K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 370MA 750 MOHM | تحقيق |
|
ISC1210BN1R2J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 390MA 650 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات