IS62WV12816EALL-55BLI متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IS62WV12816EALL-55BLI، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IS62WV12816EALL-55BLI عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IS62WV12816EALL-55BLI مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IS62WV12816EALL-55BLI
- رقم القطعة:
- IS62WV12816EALL-55BLI
- وصف:
- IC SRAM 2M PARALLEL 48MGA
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 39650 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IS62WV12816EALL-55BLI.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | 45ns |
| الجهد - توريد: | 1.65 V ~ 2.2 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Asynchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 48-TFBGA (6x8) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 48-TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 2Mb (128K x 16) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Asynchronous Memory IC 2Mb (128K x 16) Parallel 45ns 48-TFBGA (6x8) |
| وقت الدخول: | 45ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIS62WV12816EALL-55BLI
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار