IRFI740GLCPBF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IRFI740GLCPBF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IRFI740GLCPBF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IRFI740GLCPBF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IRFI740GLCPBF
- رقم القطعة:
- IRFI740GLCPBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 52585 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IRFI740GLCPBF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - اختبار: | 1100pF @ 25V |
| الجهد - انهيار: | TO-220-3 |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 550 mOhm @ 3.4A, 10V |
| فغس (ماكس): | 10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| سلسلة: | - |
| بنفايات الحالة: | Tube |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.7A (Tc) |
| الاستقطاب: | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
| اسماء اخرى: | *IRFI740GLCPBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 11 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFI740GLCPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 39nC @ 10V |
| نوع IGBT: | ±30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 4V @ 250µA |
| FET الميزة: | N-Channel |
| وصف موسع: | N-Channel 400V 5.7A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | - |
| وصف: | MOSFET N-CH 400V 5.7A TO220FP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 400V |
| نسبة السعة: | 40W (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFI740GLCPBF
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC