IRFHE4250DTRPBF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IRFHE4250DTRPBF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IRFHE4250DTRPBF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IRFHE4250DTRPBF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IRFHE4250DTRPBF
- رقم القطعة:
- IRFHE4250DTRPBF
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A PQFN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45693 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IRFHE4250DTRPBF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.1V @ 35µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 32-PQFN (6x6) |
| سلسلة: | FASTIRFET™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2.75 mOhm @ 27A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 156W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 32-PowerWFQFN |
| اسماء اخرى: | IRFHE4250DTRPBF-ND IRFHE4250DTRPBFTR SP001564116 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1735pF @ 13V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 25V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 86A, 303A 156W Surface Mount 32-PQFN (6x6) |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 86A, 303A |
| رقم جزء القاعدة: | IRFHE4250 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFHE4250DTRPBF
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي