IRF7757TR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IRF7757TR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IRF7757TR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IRF7757TR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IRF7757TR
- رقم القطعة:
- IRF7757TR
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 4.8A TSSOP-8
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 23395 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IRF7757TR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 250µA |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-TSSOP |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 1.2W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1340pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 23nC @ 4.5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف تفصيلي: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 4.8A 1.2W Surface Mount 8-TSSOP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.8A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF7757TR
Latest الأخبار
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM