IR21814 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IR21814، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IR21814 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IR21814 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IR21814
- رقم القطعة:
- IR21814
- وصف:
- IC DRIVER HI/LOW 600V 1.9A 14DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 36736 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IR21814.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 10 V ~ 20 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-DIP |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 40ns, 20ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IR21814 SP001544466 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | 0.8V, 2.7V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع المدخلات: | Non-Inverting |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 600V |
| نوع البوابة: | IGBT, N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف تفصيلي: | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 1.9A, 2.3A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Independent |
| رقم جزء القاعدة: | IR21814 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIR21814
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل