IR2086STRPBF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IR2086STRPBF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IR2086STRPBF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IR2086STRPBF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IR2086STRPBF
- رقم القطعة:
- IR2086STRPBF
- وصف:
- IC DRIVER FULL BRIDGE 16-SOIC
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45434 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IR2086STRPBF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 9.5 V ~ 15 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-SOIC |
| سلسلة: | - |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 40ns, 20ns |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | IR2086STRPBF-ND IR2086STRPBFTR SP001576054 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| تردد الإدخال: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 2 (1 Year) |
| الصانع المهلة القياسية: | 39 Weeks |
| المنطق الجهد - فيل، فيه: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | RC Input Circuit |
| عالية الجهد الجانب - ماكس (التمهيد): | 100V |
| نوع البوابة: | N-Channel MOSFET |
| تكوين مدفوعة: | Half-Bridge |
| وصف تفصيلي: | Half-Bridge Gate Driver IC RC Input Circuit 16-SOIC |
| الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة): | 1.2A, 1.2A |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Synchronous |
| رقم جزء القاعدة: | IR2086SPBF |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIR2086STRPBF
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار