IR04BH151J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IR04BH151J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IR04BH151J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IR04BH151J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IR04BH151J
- رقم القطعة:
- IR04BH151J
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- IR-4 150 5% B08
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25243 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IR04BH151J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.180" Dia x 0.385" L (4.57mm x 9.78mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | IR |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 65 @ 790kHz |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | Axial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مادة - كور: | Iron |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 790kHz |
| الحث: | 150µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 8MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 150µH Unshielded Inductor 114mA 6.05 Ohm Max Axial |
| DC المقاومة (DCR): | 6.05 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 114mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIR04BH151J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IR04BH131K | Dale / Vishay | IR-4 130 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH111J | Dale / Vishay | IR-4 110 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH161J | Dale / Vishay | IR-4 160 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH112J | Dale / Vishay | IR-4 1.1K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH221K | Dale / Vishay | IR-4 220 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH132J | Dale / Vishay | IR-4 1.3K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH182J | Dale / Vishay | IR-4 1.8K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH120K | Dale / Vishay | IR-4 12 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH180K | Dale / Vishay | IR-4 18 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH181K | Dale / Vishay | IR-4 180 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH120J | Dale / Vishay | IR-4 12 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH221J | Dale / Vishay | IR-4 220 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH122J | Dale / Vishay | IR-4 1.2K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH121J | Dale / Vishay | IR-4 120 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH102J | Dale / Vishay | IR-4 1K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH1R0K | Dale / Vishay | IR-4 1 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH220K | Dale / Vishay | IR-4 22 10% B08 | تحقيق |
|
IR04BH152J | Dale / Vishay | IR-4 1.5K 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH181J | Dale / Vishay | IR-4 180 5% B08 | تحقيق |
|
IR04BH120G | Dale / Vishay | IR-4 12 2% B08 | تحقيق |
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC