IR02BHR33J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IR02BHR33J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IR02BHR33J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IR02BHR33J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IR02BHR33J
- رقم القطعة:
- IR02BHR33J
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- IR-2 .33 5% B08
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 20348 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IR02BHR33J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | Axial |
| حجم / البعد: | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | IR |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 30 @ 25MHz |
| التعبئة والتغليف: | - |
| حزمة / كيس: | Axial |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مادة - كور: | Phenolic |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 25MHz |
| الحث: | 330nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 410MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 330nH Unshielded Inductor 815mA 220 mOhm Max Axial |
| DC المقاومة (DCR): | 220 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 815mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIR02BHR33J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IR02BHR15K | Dale / Vishay | IR-2 .15 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR27J | Dale / Vishay | IR-2 .27 5% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR22F | Dale / Vishay | IR-2 .22 1% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR82K | Dale / Vishay | IR-2 .82 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR15F | Dale / Vishay | IR-2 .15 1% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR18K | Dale / Vishay | IR-2 .18 10% B08 | تحقيق |
|
IR02EB120K | Dale / Vishay | IR-2 12 10% EB E2 | تحقيق |
|
IR02BHR47K | Dale / Vishay | IR-2 .47 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR33K | Dale / Vishay | IR-2 .33 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR27K | Dale / Vishay | IR-2 .27 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR56K | Dale / Vishay | IR-2 .56 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR15H | Dale / Vishay | IR-2 .15 3% B08 | تحقيق |
|
IR02EB100K | Dale / Vishay | IR-2 10 10% EB E2 | تحقيق |
|
IR02BHR39K | Dale / Vishay | IR-2 .39 10% B08 | تحقيق |
|
IR02EB102K | Dale / Vishay | IR-2 1K 10% EB E2 | تحقيق |
|
IR02EB121K | Dale / Vishay | IR-2 120 10% EB E2 | تحقيق |
|
IR02BHR12K | Dale / Vishay | IR-2 .12 10% B08 | تحقيق |
|
IR02EB101K | Dale / Vishay | IR-2 100 10% EB E2 | تحقيق |
|
IR02BHR10K | Dale / Vishay | IR-2 .1 10% B08 | تحقيق |
|
IR02BHR22K | Dale / Vishay | IR-2 .22 10% B08 | تحقيق |
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل