IPN80R3K3P7ATMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IPN80R3K3P7ATMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IPN80R3K3P7ATMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IPN80R3K3P7ATMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IPN80R3K3P7ATMA1
- رقم القطعة:
- IPN80R3K3P7ATMA1
- وصف:
- COOLMOS P7 800V SOT-223
- حالة خالية من الرصاص:
- بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 24128 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IPN80R3K3P7ATMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 30µA |
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-SOT223 |
| سلسلة: | CoolMOS™ P7 |
| بنفايات الحالة: | RoHS Compliant |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.3 Ohm @ 590mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 6.1W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | SOT-223-3 |
| اسماء اخرى: | IPN80R3K3P7ATMA1-ND IPN80R3K3P7ATMA1TR SP001664992 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 120pF @ 500V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 5.8nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 800V |
| وصف تفصيلي: | N-Channel 800V 1.9A (Tc) 6.1W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.9A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPN80R3K3P7ATMA1
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل