IMC2220ER8R2K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IMC2220ER8R2K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IMC2220ER8R2K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IMC2220ER8R2K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IMC2220ER8R2K
- رقم القطعة:
- IMC2220ER8R2K
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 8.2UH 750MA 180 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51092 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IMC2220ER8R2K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2220 (5650 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.221" L x 0.197" W (5.61mm x 5.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | IMC-2220 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 10 @ 7.96MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2220 (5650 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 7.96MHz |
| الحث: | 8.2µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.165" (4.20mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 22MHz |
| وصف تفصيلي: | 8.2µH Unshielded Inductor 750mA 180 mOhm Max 2220 (5650 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 180 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 750mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIMC2220ER8R2K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC2220ER822J | Dale / Vishay | FIXED IND 8.2MH 28MA 125 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER682J | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8MH 30MA 110 OHM SMD | تحقيق |
 |
IMC223020C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC2220ER680K | Dale / Vishay | FIXED IND 68UH 290MA 1.2 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC225.8M8 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M8 | تحقيق |
|
IMC2220ER6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 810MA 150 MOHM | تحقيق |
|
IMC2281.5C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC2281.5M12 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M12 | تحقيق |
|
IMC223020M12 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M12 | تحقيق |
|
IMC2220ER4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 950MA 110 MOHM | تحقيق |
|
IMC2220ER681K | Dale / Vishay | FIXED IND 680UH 100MA 10 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC223010M12 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M12 | تحقيق |
|
IMC2220ER820K | Dale / Vishay | FIXED IND 82UH 270MA 1.4 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC223010C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC2220ER821K | Dale / Vishay | FIXED IND 820UH 90MA 13 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2261C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC225.8C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC2261M8 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M8 | تحقيق |
|
IMC2220ER562J | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6MH 33MA 85 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER560K | Dale / Vishay | FIXED IND 56UH 310MA 1 OHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل