IMC2220ER150K متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IMC2220ER150K، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IMC2220ER150K عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IMC2220ER150K مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IMC2220ER150K
- رقم القطعة:
- IMC2220ER150K
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 15UH 580MA 300 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 30530 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IMC2220ER150K.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 2220 (5650 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.221" L x 0.197" W (5.61mm x 5.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | IMC-2220 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 10 @ 2.52MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 2220 (5650 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 2.52MHz |
| الحث: | 15µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.165" (4.20mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 16MHz |
| وصف تفصيلي: | 15µH Unshielded Inductor 580mA 300 mOhm Max 2220 (5650 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 300 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 580mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIMC2220ER150K
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IMC22188M12 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M12 | تحقيق |
 |
IMC2220ER120K | Dale / Vishay | FIXED IND 12UH 630MA 250 MOHM | تحقيق |
|
IMC22185M12 | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST M12 | تحقيق |
|
IMC2220ER100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 690MA 210 MOHM | تحقيق |
|
IMC2220ER103J | Dale / Vishay | FIXED IND 10MH 25MA 150 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC22188C | Crouzet | SENS INDUCT PROX 3W SPST 2M | تحقيق |
|
IMC2220ER220K | Dale / Vishay | FIXED IND 22UH 480MA 430 MOHM | تحقيق |
|
IMC2220ER181K | Dale / Vishay | FIXED IND 180UH 190MA 2.8 OHM | تحقيق |
|
IMC2220ER101K | Dale / Vishay | FIXED IND 100UH 250MA 1.6 OHM | تحقيق |
|
IMC2220ER1R0K | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 1.8A 30 MOHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER152J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5MH 70MA 20 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER122J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2MH 75MA 17 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER221K | Dale / Vishay | FIXED IND 220UH 170MA 3.4 OHM | تحقيق |
|
IMC2220ER102K | Dale / Vishay | FIXED IND 1MH 85MA 15 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER151K | Dale / Vishay | FIXED IND 150UH 210MA 2.2 OHM | تحقيق |
|
IMC2220ER1R5K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 1.6A 40 MOHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER121K | Dale / Vishay | FIXED IND 120UH 230MA 1.9 OHM | تحقيق |
|
IMC2220ER1R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 1.7A 35 MOHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER182J | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8MH 60MA 30 OHM SMD | تحقيق |
|
IMC2220ER1R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 1.4A 50 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل