ILSB0603ER47NM متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ILSB0603ER47NM، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ILSB0603ER47NM عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ILSB0603ER47NM مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ILSB0603ER47NM
- رقم القطعة:
- ILSB0603ER47NM
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 47NH 50MA 150 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 22117 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ILSB0603ER47NM.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Multilayer |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0603 (1608 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | ILSB-0603 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | 10 @ 50MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0603 (1608 Metric) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 20 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 50MHz |
| الحث: | 47nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 260MHz |
| وصف تفصيلي: | 47nH Shielded Multilayer Inductor 50mA 150 mOhm Max 0603 (1608 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 150 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 50mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لILSB0603ER47NM
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
ILSB0603ERR15K | Dale / Vishay | FIXED IND 150NH 50MA 600 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ERR18K | Dale / Vishay | FIXED IND 180NH 50MA 600 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER1R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.8UH 25MA 950 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ERR12K | Dale / Vishay | FIXED IND 120NH 50MA 500 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER4R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 4.7UH 15MA 2.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ER5R6K | Dale / Vishay | FIXED IND 5.6UH 15MA 1.55 OHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER8R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 8.2UH 15MA 2.1 OHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ER3R9K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.9UH 15MA 1.7 OHM SMD | تحقيق |
 |
ILS-G5000-060 | Cynergy3 | SENSOR PRESSURE 0-50MWG 4-20MA | تحقيق |
|
ILSB0603ER100K | Dale / Vishay | FIXED IND 10UH 15MA 2.55 OHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ER1R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.2UH 25MA 800 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER1R0K | Dale / Vishay | FIXED IND 1UH 25MA 600 MOHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ER3R3K | Dale / Vishay | FIXED IND 3.3UH 15MA 1.55 OHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER2R7K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.7UH 15MA 1.35 OHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER82NM | Dale / Vishay | FIXED IND 82NH 50MA 250 MOHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ER6R8K | Dale / Vishay | FIXED IND 6.8UH 15MA 1.7 OHM SMD | تحقيق |
|
ILSB0603ERR10K | Dale / Vishay | FIXED IND 100NH 50MA 500 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER1R5K | Dale / Vishay | FIXED IND 1.5UH 25MA 800 MOHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER2R2K | Dale / Vishay | FIXED IND 2.2UH 15MA 1.15 OHM | تحقيق |
|
ILSB0603ER68NM | Dale / Vishay | FIXED IND 68NH 50MA 250 MOHM SMD | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل