ILAS1206ER102V متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل ILAS1206ER102V، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل ILAS1206ER102V عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء ILAS1206ER102V مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
ILAS1206ER102V
- رقم القطعة:
- ILAS1206ER102V
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FERRITE BEAD 1 KOHM 1206 4LN
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 44373 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- ILAS1206ER102V.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| حجم / البعد: | 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) |
| سلسلة: | ILAS-1206 |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 1206 (3216 Metric), Array, 8 PC Pad |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 24 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | ILAS1206ER102V |
| الحث @ تردد: | 1 kOhm @ 100MHz |
| ارتفاع (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| فتيل: | Signal Line |
| بحث الترتيب: | 750 mOhm |
| وصف: | FERRITE BEAD 1 KOHM 1206 4LN |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 150mA |
| طول الكابل - غير معلن: | 4 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لILAS1206ER102V
Latest الأخبار
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي