IL611-2 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IL611-2، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IL611-2 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IL611-2 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IL611-2
- رقم القطعة:
- IL611-2
- الصانع:
- NVE Corporation
- وصف:
- DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 51755 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IL611-2.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 5.5 V |
| الجهد - العزلة: | 2500Vrms |
| اكتب: | General Purpose |
| تكنولوجيا: | GMR (Giant Magnetoresistive) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PDIP |
| سلسلة: | IsoLoop® |
| ارتفاع / سقوط الوقت (طباع): | 2ns, 2ns |
| نبض العرض تشويه (ماكس): | 10ns |
| الانتشار تأخير تبله / تفل (ماكس): | 25ns, 25ns |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | 390-1026-5 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| عدد القنوات: | 2 |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| عزل عزل، باور: | No |
| المدخلات - الجانب 1 / الجانب 2: | 2/0 |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Digital Isolator 2500Vrms 2 Channel 40Mbps 15kV/µs CMTI 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
| معدل البيانات: | 40Mbps |
| الوضع المشترك مناعة عابرة (دقيقة): | 15kV/µs |
| قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس): | Unidirectional |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIL611-2
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IL611-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
 |
IL611-3ETR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
|
IL610-3TR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
|
IL611A-3 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
 |
IL610A-2 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | تحقيق |
|
IL610A-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
 |
IL611A-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL610A-3 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
|
IL611-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL610A-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL610A-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP | تحقيق |
 |
IL611A-3E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
|
IL611-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL610A-1 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL611A-1E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP | تحقيق |
|
IL611A-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP | تحقيق |
|
IL611-2E | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP | تحقيق |
|
IL611A-2 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP | تحقيق |
|
IL611-3 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
|
IL610-3ETR7 | NVE Corporation | DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار
- أطلقت Ruisa New RA0 Series Ultra -low Power Entry -lovel MCU
- يطلق Melexis رقاقة مفتاح محث كامل المتكامل
- يقدم X-FAB تقنية إضاءة مستشعر الصورة لتعزيز أداء مستشعر CMOS