IKD06N60RFATMA1 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IKD06N60RFATMA1، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IKD06N60RFATMA1 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IKD06N60RFATMA1 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IKD06N60RFATMA1
- رقم القطعة:
- IKD06N60RFATMA1
- وصف:
- IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 26101 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IKD06N60RFATMA1.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.5V @ 15V, 6A |
| اختبار حالة: | 400V, 6A, 23 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 7ns/106ns |
| تحويل الطاقة: | 90µJ (on), 90µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO252-3 |
| سلسلة: | TrenchStop® |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 48ns |
| السلطة - ماكس: | 100W |
| التعبئة والتغليف: | Cut Tape (CT) |
| حزمة / كيس: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| اسماء اخرى: | IKD06N60RF-CT IKD06N60RF-CT-ND IKD06N60RFATMA1CT |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 52 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | Trench Field Stop |
| بوابة المسؤول: | 48nC |
| وصف تفصيلي: | IGBT Trench Field Stop 600V 12A 100W Surface Mount PG-TO252-3 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 18A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 12A |
| رقم جزء القاعدة: | *KD06N60 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIKD06N60RFATMA1
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات