IHLP2525CZER6R8M8A متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IHLP2525CZER6R8M8A، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IHLP2525CZER6R8M8A عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IHLP2525CZER6R8M8A مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IHLP2525CZER6R8M8A
- رقم القطعة:
- IHLP2525CZER6R8M8A
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- FIXED IND 6.8UH 4.4A 57.6 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 49345 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.IHLP2525CZER6R8M8A.pdf2.IHLP2525CZER6R8M8A.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Molded |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.270" L x 0.255" W (6.86mm x 6.47mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | IHLP-2525CZ-8A |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Nonstandard |
| اسماء اخرى: | 541-2259-2 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 180°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 6.8µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.118" (3.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 16MHz |
| وصف تفصيلي: | 6.8µH Shielded Molded Inductor 4.4A 57.6 mOhm Max Nonstandard |
| DC المقاومة (DCR): | 57.6 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 4.4A |
| الحالي - التشبع: | 4.4A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIHLP2525CZER6R8M8A
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي