IHLP1616BZERR47M0H متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IHLP1616BZERR47M0H، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IHLP1616BZERR47M0H عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IHLP1616BZERR47M0H مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IHLP1616BZERR47M0H
- رقم القطعة:
- IHLP1616BZERR47M0H
- الصانع:
- Dale / Vishay
- وصف:
- IHLP-1616BZ-0H .47 20% ER E3
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58772 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IHLP1616BZERR47M0H.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.160" L x 0.160" W (4.06mm x 4.06mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | IHLP-1616BZ-0H |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | Nonstandard, 2 Lead |
| اسماء اخرى: | 541-4286-6 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 470nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.079" (2.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 145MHz |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 470nH Shielded Inductor 8.5A 14.1 mOhm Max Nonstandard, 2 Lead |
| DC المقاومة (DCR): | 14.1 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 8.5A |
| الحالي - التشبع: | 13.1A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIHLP1616BZERR47M0H
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي