IH5045CPE متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IH5045CPE، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IH5045CPE عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IH5045CPE مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IH5045CPE
- رقم القطعة:
- IH5045CPE
- الصانع:
- Maxim Integrated
- وصف:
- IC SW DUAL ANLG CMOS DPST 16-DIP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 40746 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- IH5045CPE.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | - |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±4.5 V ~ 18 V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 400ns, 200ns |
| تبديل الدائرة: | DPST - NO |
| تجار الأجهزة حزمة: | 16-PDIP |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 80 Ohm |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 2:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 2 Circuit IC Switch 2:1 80 Ohm 16-PDIP |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 5nA |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | - |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 5 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | - |
| رقم جزء القاعدة: | IH5045 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIH5045CPE
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IH5043CPE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16DIP | تحقيق |
 |
IH5043CWE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16SOIC | تحقيق |
|
IH5042CWE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH SPDT 16SOIC | تحقيق |
|
IH5049CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16DIP | تحقيق |
|
IH5045CWE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL DPST 16SOIC | تحقيق |
|
IH5049CWE | Maxim Integrated | IC SW DUAL ANLG CMOS N/O 16-SOIC | تحقيق |
|
IH5050CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16DIP | تحقيق |
|
IH5042CWE | Maxim Integrated | IC SWITCH SPDT 16SOIC | تحقيق |
|
IH5043C/D | Maxim Integrated | IC ANLG SWITCH SPST NO CMOS | تحقيق |
|
IH5043CWE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16SOIC | تحقيق |
 |
IH5049MJE/883B | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST COTS | تحقيق |
|
IH5044CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH DPST 16DIP | تحقيق |
|
IH5042CWE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH SPDT 16SOIC | تحقيق |
|
IH5047CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH SPST 16DIP | تحقيق |
|
IH5043CWE+T | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16SOIC | تحقيق |
|
IH5048CPE | Maxim Integrated | IC SW DUAL ANLG CMOS N/O 16-DIP | تحقيق |
|
IH5048ACPE | Maxim Integrated | IC SW DUAL ANLG CMOS N/O 16-DIP | تحقيق |
|
IH5049CPE+ | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPST 16DIP | تحقيق |
|
IH5043CPE | Maxim Integrated | IC SWITCH DUAL SPDT 16DIP | تحقيق |
|
IH5048ACWE | Maxim Integrated | IC SW DUAL ANLG CMOS N/O 16-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل