IDT71V25761S166PF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل IDT71V25761S166PF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل IDT71V25761S166PF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء IDT71V25761S166PF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
IDT71V25761S166PF
- رقم القطعة:
- IDT71V25761S166PF
- وصف:
- IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 58966 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.IDT71V25761S166PF.pdf2.IDT71V25761S166PF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة: | - |
| الجهد - توريد: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| تكنولوجيا: | SRAM - Synchronous |
| تجار الأجهزة حزمة: | 100-TQFP (14x20) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| حزمة / كيس: | 100-LQFP |
| اسماء اخرى: | 71V25761S166PF |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| نوع الذاكرة: | Volatile |
| حجم الذاكرة: | 4.5Mb (128K x 36) |
| واجهة الذاكرة: | Parallel |
| تنسيق الذاكرة: | SRAM |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 166MHz 3.5ns 100-TQFP (14x20) |
| تردد على مدار الساعة: | 166MHz |
| رقم جزء القاعدة: | IDT71V25761 |
| وقت الدخول: | 3.5ns |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIDT71V25761S166PF
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي