HSM350G/TR13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HSM350G/TR13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HSM350G/TR13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HSM350G/TR13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HSM350G/TR13
- رقم القطعة:
- HSM350G/TR13
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO215AB
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 54306 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HSM350G/TR13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 620mV @ 3A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-215AB |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-215AB, SMC Gull Wing |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 50V 3A Surface Mount DO-215AB |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 3A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| رقم جزء القاعدة: | HSM350 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHSM350G/TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HSM360JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
HSM360G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO215AB | تحقيق |
|
HSM330J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCJ | تحقيق |
|
HSM360J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO214AB | تحقيق |
 |
HSM34 | Knowles Voltronics | CAP GLASS TRIMMER 2-34PF 125V SM | تحقيق |
|
HSM380J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO214AB | تحقيق |
|
HSM380G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO215AB | تحقيق |
|
HSM320JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 20V SMCJ | تحقيق |
|
HSM340G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCG | تحقيق |
|
HSM330JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCJ | تحقيق |
|
HSM350J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB | تحقيق |
|
HSM350JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO214AB | تحقيق |
|
HSM340JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCJ | تحقيق |
|
HSM340J/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCJ | تحقيق |
|
HSM360GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 3A DO215AB | تحقيق |
|
HSM340GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 40V SMCG | تحقيق |
|
HSM350GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 3A DO215AB | تحقيق |
|
HSM330G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCG | تحقيق |
|
HSM380GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 3A DO215AB | تحقيق |
|
HSM330GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 3A 30V SMCG | تحقيق |
Latest الأخبار
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة