HSM150G/TR13 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HSM150G/TR13، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HSM150G/TR13 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HSM150G/TR13 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HSM150G/TR13
- رقم القطعة:
- HSM150G/TR13
- الصانع:
- Microsemi
- وصف:
- DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO215AA
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 59136 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HSM150G/TR13.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 690mV @ 1A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 50V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-215AA |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | DO-215AA, SMB Gull Wing |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -55°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Schottky |
| وصف تفصيلي: | Diode Schottky 50V 1A Surface Mount DO-215AA |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 100µA @ 50V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 1A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHSM150G/TR13
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HSM120JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMAJ | تحقيق |
|
HSM150GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO215AA | تحقيق |
|
HSM180GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO215AA | تحقيق |
|
HSM170G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SMBG | تحقيق |
|
HSM160GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO215AA | تحقيق |
|
HSM130GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG | تحقيق |
|
HSM170GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SMBG | تحقيق |
|
HSM130JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMAJ | تحقيق |
|
HSM140JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMAJ | تحقيق |
|
HSM1100JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 100V 1A DO214BA | تحقيق |
|
HSM150JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 50V 1A DO214BA | تحقيق |
|
HSM170JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 70V SMAJ | تحقيق |
|
HSM130G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 30V SMBG | تحقيق |
|
HSM140GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG | تحقيق |
|
HSM140G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 40V SMBG | تحقيق |
|
HSM160JE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO214BA | تحقيق |
|
HSM180G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 80V 1A DO215AA | تحقيق |
|
HSM120GE3/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG | تحقيق |
|
HSM120G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 1A 20V SMBG | تحقيق |
|
HSM160G/TR13 | Microsemi | DIODE SCHOTTKY 60V 1A DO215AA | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات