HSCMDRN010NG2A3 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HSCMDRN010NG2A3، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HSCMDRN010NG2A3 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HSCMDRN010NG2A3 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HSCMDRN010NG2A3
- رقم القطعة:
- HSCMDRN010NG2A3
- وصف:
- BRD MNT PRESSURE SENSORS
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 50941 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3.27 V ~ 3.33 V |
| إنهاء نمط: | Surface Mount |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SMD |
| سلسلة: | TruStability® HSC |
| نوع الضغط: | Vented Gauge |
| ميناء نمط: | Barbed |
| ميناء الحجم: | Male - 0.19" (4.93mm) Tube, Dual |
| حزمة / كيس: | 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Opposite Sides |
| نوع المخرجات: | I²C |
| الناتج: | 12 b |
| درجة حرارة التشغيل: | -20°C ~ 85°C |
| ضغط التشغيل: | 0.36 PSI (2.49 kPa) |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| أقصى ضغط: | 10.84 PSI (74.75 kPa) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | Amplified Output, Temperature Compensated |
| وصف تفصيلي: | Pressure Sensor 0.36 PSI (2.49 kPa) Vented Gauge Male - 0.19" (4.93mm) Tube, Dual 12 b 8-SMD, J-Lead, Dual Ports, Opposite Sides |
| دقة: | ±0.25% |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHSCMDRN010NG2A3
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل