HS10 3R9 J متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HS10 3R9 J، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HS10 3R9 J عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HS10 3R9 J مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HS10 3R9 J
- رقم القطعة:
- HS10 3R9 J
- الصانع:
- Ohmite
- وصف:
- RES CHAS MNT 3.9 OHM 5% 10W
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35170 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HS10 3R9 J.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تسامح: | ±5% |
| معامل درجة الحرارة: | ±100ppm/°C |
| حجم / البعد: | 0.626" L x 0.335" W (15.90mm x 8.50mm) |
| سلسلة: | ARCOL, HS |
| وضع لوحة: | 3.9 Ohms |
| السلطة (واتس): | 10W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Axial, Box |
| اسماء اخرى: | HS10 3R9 J-ND HS103R9J |
| درجة حرارة التشغيل: | - |
| تصاعد ميزة: | Flanges |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| قيادي نمط: | Solder Lugs |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.346" (8.80mm) |
| الميزات: | - |
| معدل الفشل: | - |
| وصف تفصيلي: | 3.9 Ohms ±5% 10W Wirewound Chassis Mount Resistor |
| تركيب: | Wirewound |
| طلاء، نوع السكن: | Aluminum |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHS10 3R9 J
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HS10 470R F | Ohmite | RES CHAS MNT 470 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 43R J | Ohmite | RES CHAS MNT 43 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 4K7 J | Ohmite | RES CHAS MNT 4.7K OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 3K3 J | Ohmite | RES CHAS MNT 3.3K OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 470R J | Ohmite | RES CHAS MNT 470 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 33R F | Ohmite | RES CHAS MNT 33 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 330R F | Ohmite | RES CHAS MNT 330 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 3K F | Ohmite | RES CHAS MNT 3K OHM 1% 10W | تحقيق |
 |
HS10 3R F | Ohmite | RES CHAS MNT 3 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 3R3 F | Ohmite | RES CHAS MNT 3.3 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 47R J | Ohmite | RES CHAS MNT 47 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 330R J | Ohmite | RES CHAS MNT 330 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 33R J | Ohmite | RES CHAS MNT 33 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 40R F | Ohmite | RES CHAS MNT 40 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 3K3 F | Ohmite | RES CHAS MNT 3.3K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 4R F | Ohmite | RES CHAS MNT 4 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 39R J | Ohmite | RES CHAS MNT 39 OHM 5% 10W | تحقيق |
|
HS10 4K7 F | Ohmite | RES CHAS MNT 4.7K OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 47R F | Ohmite | RES CHAS MNT 47 OHM 1% 10W | تحقيق |
|
HS10 4R7 F | Ohmite | RES CHAS MNT 4.7 OHM 1% 10W | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات