HM58-1112VR36LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HM58-1112VR36LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HM58-1112VR36LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HM58-1112VR36LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HM58-1112VR36LF
- رقم القطعة:
- HM58-1112VR36LF
- الصانع:
- TT Electronics
- وصف:
- FIXED IND 360NH 40A 0.65 MOHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 59128 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HM58-1112VR36LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | - |
| تسامح: | ±15% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.433" L x 0.453" W (11.00mm x 11.50mm) |
| التدريع: | Shielded |
| سلسلة: | HM58 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 360nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.433" (11.00mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 360nH Shielded Inductor 40A 0.65 mOhm Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 0.65 mOhm |
| التصويت الحالي: | 40A |
| الحالي - التشبع: | 60A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHM58-1112VR36LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HM56-11120R4LF | TT Electronics | FIXED IND 400NH 50A 0.8 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11120R36LF | TT Electronics | FIXED IND 370NH 58A 0.8 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11121R3LF | TT Electronics | FIXED IND 1.3UH 25A 2 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11122R0LF | TT Electronics | FIXED IND 2UH 20A 3.65 MOHM TH | تحقيق |
|
HM55-26R50LF | TT Electronics | FIXED IND 500NH 40A 0.9 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11120R22LF | TT Electronics | FIXED IND 220NH 60A 0.55 MOHM TH | تحقيق |
|
HM55-313R0LF | TT Electronics | FIXED IND 3UH 21A 2.6 MOHM TH | تحقيق |
|
HM55-311R4LF | TT Electronics | FIXED IND 1.4UH 35A 0.98 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-13131R2LF | TT Electronics | FIXED IND 1.2UH 20A 1.3 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-10100R15LF | TT Electronics | FIXED IND 150NH 68A 0.6 MOHM TH | تحقيق |
|
HM55-321R0LF | TT Electronics | FIXED IND 1UH 40A 1.25 MOHM TH | تحقيق |
|
HM55-315R6LF | TT Electronics | FIXED IND 5.6UH 9A 7.3 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11121R0LF | TT Electronics | FIXED IND 1UH 28A 2 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11123R0LF | TT Electronics | FIXED IND 3UH 18A 7.5 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11121R5LF | TT Electronics | FIXED IND 1.5UH 24A 3.65 MOHM TH | تحقيق |
|
HM58-1112V1R3LF | TT Electronics | FIXED IND 1.3UH 17A 1.05 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11120R19LF | TT Electronics | FIXED IND 190NH 75A 0.55 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-14138R0LF | TT Electronics | FIXED IND 8UH 3.5A 6.3 MOHM TH | تحقيق |
|
HM56-11120R6LF | TT Electronics | FIXED IND 600NH 30A 0.8 MOHM TH | تحقيق |
|
HM58-1112HR36LF | TT Electronics | FIXED IND 360NH 40A 0.65 MOHM TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل