HM53-003R0VLF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HM53-003R0VLF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HM53-003R0VLF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HM53-003R0VLF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HM53-003R0VLF
- رقم القطعة:
- HM53-003R0VLF
- الصانع:
- TT Electronics
- وصف:
- FIXED IND 3.1UH 13.5A 4.5 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 58609 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HM53-003R0VLF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Toroidal |
| تسامح: | ±20% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.965" Dia x 0.551" W (24.50mm x 14.00mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | HM53 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100kHz |
| الحث: | 3.1µH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 3.1µH Unshielded Toroidal Inductor 13.5A 4.5 mOhm Max Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 4.5 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 13.5A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHM53-003R0VLF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HM53-009R5HLF | TT Electronics | FIXED IND 9.5UH 9A 8.1 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-002R0HLF | TT Electronics | FIXED IND 2UH 8.5A 4.8 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-009R5VLF | TT Electronics | FIXED IND 9.5UH 9A 8.1 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-10111HLF | TT Electronics | FIXED IND 106.4UH 2.3A 165.9MOHM | تحقيق |
|
HM53-10101VLF | TT Electronics | FIXED IND 100UH 5A 67 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-10171HLF | TT Electronics | FIXED IND 175.2UH 2.2A 224.2MOHM | تحقيق |
|
HM53-001R9VLF | TT Electronics | FIXED IND 1.9UH 10A 5.1 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-001R1VLF | TT Electronics | FIXED IND 1.1UH 14A 3 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-001R6VLF | TT Electronics | FIXED IND 1.6UH 8A 4 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-007R8HLF | TT Electronics | FIXED IND 7.8UH 5.7A 12.9 MOHM | تحقيق |
|
HM53-005R5VLF | TT Electronics | FIXED IND 5.5UH 8.5A 8.9 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-001R9HLF | TT Electronics | FIXED IND 1.9UH 10A 5.1 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-007R8VLF | TT Electronics | FIXED IND 7.8UH 5.7A 12.9 MOHM | تحقيق |
|
HM53-10111VLF | TT Electronics | FIXED IND 106.4UH 2.3A 165.9MOHM | تحقيق |
|
HM53-001R8VLF | TT Electronics | FIXED IND 1.8UH 15A 3.5 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-003R0HLF | TT Electronics | FIXED IND 3.1UH 13.5A 4.5 MOHM | تحقيق |
|
HM53-002R0VLF | TT Electronics | FIXED IND 2UH 8.5A 4.8 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-001R6HLF | TT Electronics | FIXED IND 1.6UH 8A 4 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-001R8HLF | TT Electronics | FIXED IND 1.8UH 15A 3.5 MOHM TH | تحقيق |
|
HM53-005R5HLF | TT Electronics | FIXED IND 5.5UH 8.5A 8.9 MOHM TH | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل