HM17-855103LF متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HM17-855103LF، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HM17-855103LF عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HM17-855103LF مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HM17-855103LF
- رقم القطعة:
- HM17-855103LF
- الصانع:
- TT Electronics
- وصف:
- FIXED IND 10MH 81MA 55.7 OHM TH
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 54250 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HM17-855103LF.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Wirewound |
| تسامح: | ±10% |
| تجار الأجهزة حزمة: | - |
| حجم / البعد: | 0.307" Dia (7.80mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | HM17 |
| تصنيفات: | - |
| س @ التكرار: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Radial |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | - |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 1kHz |
| الحث: | 10mH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.217" (5.50mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | - |
| وصف تفصيلي: | 10mH Unshielded Wirewound Inductor 81mA 55.7 Ohm Max Radial |
| DC المقاومة (DCR): | 55.7 Ohm Max |
| التصويت الحالي: | 81mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHM17-855103LF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HM17-664560LF | TT Electronics | FIXED IND 56UH 800MA 260 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855150LF | TT Electronics | FIXED IND 15UH 2.1A 90 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855122LF | TT Electronics | FIXED IND 1.2MH 230MA 6.03 OHM | تحقيق |
|
HM17-855100LF | TT Electronics | FIXED IND 10UH 2.5A 70 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-664561LF | TT Electronics | FIXED IND 560UH 250MA 2.31 OHM | تحقيق |
|
HM17-855120LF | TT Electronics | FIXED IND 12UH 2.4A 80 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855220LF | TT Electronics | FIXED IND 22UH 1.7A 120 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855181LF | TT Electronics | FIXED IND 180UH 620MA 890 MOHM | تحقيق |
|
HM17-664821LF | TT Electronics | FIXED IND 820UH 210MA 3.1 OHM TH | تحقيق |
|
HM17-664681LF | TT Electronics | FIXED IND 680UH 230MA 2.67 OHM | تحقيق |
|
HM17-855182LF | TT Electronics | FIXED IND 1.8MH 200MA 8.26 OHM | تحقيق |
|
HM17-855152LF | TT Electronics | FIXED IND 1.5MH 210MA 7.15 OHM | تحقيق |
|
HM17-664680LF | TT Electronics | FIXED IND 68UH 720MA 280 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-664820LF | TT Electronics | FIXED IND 82UH 660MA 390 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855102LF | TT Electronics | FIXED IND 1MH 250MA 5.28 OHM TH | تحقيق |
|
HM17-664471LF | TT Electronics | FIXED IND 470UH 270MA 1.91 OHM | تحقيق |
|
HM17-855151LF | TT Electronics | FIXED IND 150UH 670MA 710 MOHM | تحقيق |
|
HM17-855180LF | TT Electronics | FIXED IND 18UH 2A 100 MOHM TH | تحقيق |
|
HM17-855121LF | TT Electronics | FIXED IND 120UH 760MA 590 MOHM | تحقيق |
|
HM17-855101LF | TT Electronics | FIXED IND 100UH 810MA 520 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل