HK1005R18J-TV متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HK1005R18J-TV، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HK1005R18J-TV عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HK1005R18J-TV مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HK1005R18J-TV
- رقم القطعة:
- HK1005R18J-TV
- الصانع:
- Taiyo Yuden
- وصف:
- FIXED IND 18NH 300MA 550 MOHM
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 35054 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| اكتب: | Multilayer |
| تسامح: | ±5% |
| تجار الأجهزة حزمة: | 0402 (1005 Metric) |
| حجم / البعد: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| التدريع: | Unshielded |
| سلسلة: | HK |
| تصنيفات: | AEC-Q200 |
| س @ التكرار: | 8 @ 100MHz |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 0402 (1005 Metric) |
| اسماء اخرى: | HK1005R18JTV LG HK 1005 R18J-TV |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 125°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| مادة - كور: | Ferrite |
| الصانع المهلة القياسية: | 6 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| تردد الحث - الاختبار: | 100MHz |
| الحث: | 18nH |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.022" (0.55mm) |
| تردد - الذاتي الرنين: | 2.1GHz |
| وصف تفصيلي: | 18nH Unshielded Multilayer Inductor 300mA 550 mOhm Max 0402 (1005 Metric) |
| DC المقاومة (DCR): | 550 mOhm Max |
| التصويت الحالي: | 300mA |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHK1005R18J-TV
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
HK1005R22J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 220NH 120MA 4.2 OHM | تحقيق |
|
HK10059N1J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 9.1NH 300MA 300 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R10K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 100NH 200MA 1.5 OHM | تحقيق |
|
HK1005R10J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 100NH 200MA 1.5 OHM | تحقيق |
|
HK1005R18J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 180NH 200MA 3.7 OHM | تحقيق |
|
HK1005R10J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 100NH 150MA 1.5 OHM | تحقيق |
 |
HK160810NG-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 10NH 300MA 260 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R12J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 12NH 300MA 400 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R27J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 270NH 200MA 4.8 OHM | تحقيق |
|
HK160812NJ-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 12NH 300MA 280 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R12K-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 120NH 200MA 1.6 OHM | تحقيق |
|
HK160810NK-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 10NH 300MA 260 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R22J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 220NH 200MA 4.2 OHM | تحقيق |
|
HK1005R12J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 120NH 200MA 1.6 OHM | تحقيق |
|
HK1005R15J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 150NH 140MA 3.2 OHM | تحقيق |
|
HK160810NJ-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 10NH 300MA 260 MOHM | تحقيق |
|
HK160812NJ-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 12NH 300MA 280 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R15J-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 150NH 200MA 3.2 OHM | تحقيق |
|
HK160810NJ-T | Taiyo Yuden | FIXED IND 10NH 300MA 260 MOHM | تحقيق |
|
HK1005R27J-TV | Taiyo Yuden | FIXED IND 27NH 300MA 700 MOHM | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل