HI4P0509-5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HI4P0509-5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HI4P0509-5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HI4P0509-5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HI4P0509-5
- رقم القطعة:
- HI4P0509-5
- الصانع:
- Intersil
- وصف:
- IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 20PLCC
- حالة خالية من الرصاص:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- كمية المخزون:
- 23748 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HI4P0509-5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| فولتاج - سوبلي، سينغل (V +): | - |
| الجهد - العرض، المزدوج (V ±): | ±15V |
| وقت التبديل (طن، توف) (ماكس): | 250ns, 250ns (Typ) |
| تبديل الدائرة: | SP4T |
| تجار الأجهزة حزمة: | 20-PLCC (9x9) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 20-LCC (J-Lead) |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 75°C (TA) |
| مقاومة الدولة (ماكس): | 400 Ohm |
| عدد الدوائر: | 2 |
| مضاعف / ديمولتيبليكسر الدائرة: | 4:1 |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| وصف تفصيلي: | 2 Circuit IC Switch 4:1 400 Ohm 20-PLCC (9x9) |
| الحالي - التسرب (إس (إيقاف)) (ماكس): | 30pA (Typ) |
| الحديث المتبادل: | - |
| شحن الحقن: | - |
| مطابقة القناة إلى القناة (ΔRon): | 20 Ohm |
| قناة السعة (كس (إيقاف)، سد (إيقاف)): | 10pF, 12pF |
| رقم جزء القاعدة: | HI-509 |
| -3DB عرض النطاق الترددي: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHI4P0509-5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
MAX336CAI+T | Maxim Integrated | IC MULTIPLEXER 16X1 28SSOP | تحقيق |
 |
HI4P0549-5 | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 20PLCC | تحقيق |
 |
HI4P0547-5Z | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28PLCC | تحقيق |
|
HI4P0547-5 | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 8X1 28PLCC | تحقيق |
 |
ISL43L710IUZ | Intersil | IC SWITCH DUAL SPST 8MSOP | تحقيق |
|
HI4P0546-5Z | Intersil | IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC | تحقيق |
 |
TC7SB66CFU,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | IC SWITCH SPST 7 OHM USV | تحقيق |
|
HI4P0509-5Z96 | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 20PLCC | تحقيق |
|
HI4P0201-5Z | Intersil | IC SWITCH QUAD SPST 20PLCC | تحقيق |
 |
SJM182BXC | Electro-Films (EFI) / Vishay | IC ANALOG SWITCH | تحقيق |
|
HI4P0506-5Z | Intersil | IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC | تحقيق |
|
HI4P0509-5Z | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 20PLCC | تحقيق |
|
DG2714DL-T1-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | IC SWITCH SGL SPDT LV SC70-6 | تحقيق |
|
HI4P0548-5 | Intersil | IC MULTIPLEXER 8X1 20PLCC | تحقيق |
|
HI4P0549-5Z | Intersil | IC MULTIPLEXER DUAL 4X1 20PLCC | تحقيق |
|
HI4P0546-5 | Intersil | IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC | تحقيق |
|
DG201BDJ-E3 | Electro-Films (EFI) / Vishay | IC SWITCH QUAD SPST 16DIP | تحقيق |
 |
MC74HC4852AD | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | IC MUX/DEMUX DUAL 4X1 16SOIC | تحقيق |
|
HI4P0506-5 | Intersil | IC MULTIPLEXER 16X1 28PLCC | تحقيق |
|
HI4P0201-5 | Intersil | IC SWITCH QUAD SPST 20PLCC | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل