HEF4001BT,653 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HEF4001BT,653، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HEF4001BT,653 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HEF4001BT,653 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HEF4001BT,653
- رقم القطعة:
- HEF4001BT,653
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC GATE NOR 4CH 2-INP 14SO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 28890 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HEF4001BT,653.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 15 V |
| تجار الأجهزة حزمة: | 14-SO |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | 1727-6398-2 568-8221-2 568-8221-2-ND 933372590653 HEF4001BT,653-ND HEF4001BT653 HEF4001BTD-T HEF4001BTD-T-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C |
| عدد من المدخلات: | 2 |
| عدد الدوائر: | 4 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 40ns @ 15V, 50pF |
| الصانع المهلة القياسية: | 13 Weeks |
| نوع المنطق: | NOR Gate |
| مستوى المنطق - انخفاض: | 1.5 V ~ 4 V |
| مستوى المنطق - الأعلى: | 3.5 V ~ 11 V |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | NOR Gate IC 4 Channel 14-SO |
| الحالي - هادئة (ماكس): | 1µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 3.4mA, 3.4mA |
| رقم جزء القاعدة: | 4001 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHEF4001BT,653
Latest الأخبار
- ظهرت ARM في Computex 2024: من المتوقع أن يتم استخدام أكثر من 100 مليار جهاز للذراع لمنظمة العفو الدولية بحلول نهاية عام 2025
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي