HEC4013BT,118 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل HEC4013BT,118، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل HEC4013BT,118 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء HEC4013BT,118 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
HEC4013BT,118
- رقم القطعة:
- HEC4013BT,118
- الصانع:
- Nexperia
- وصف:
- IC FF D-TYPE DUAL 1BIT 14SO
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 33088 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- HEC4013BT,118.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - توريد: | 3 V ~ 15 V |
| اكتب: | D-Type |
| الزناد نوع: | Positive Edge |
| سلسلة: | 4000B |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| نوع المخرجات: | Differential |
| اسماء اخرى: | 568-7695-2 935229880118 HEC4013BT,118-ND HEC4013BT-T HEC4013BT-T-ND |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| عدد من عناصر: | 2 |
| عدد القطع لكل عنصر: | 1 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| ماكس تأخير نشر @ V، ماكس CL: | 60ns @ 15V, 50pF |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| مدخلات السعة: | 7.5pF |
| وظيفة: | Set(Preset) and Reset |
| الحالية - هادئة (Iq): | 4µA |
| الحالي - الناتج العليا والدنيا: | 3.4mA, 3.4mA |
| تردد على مدار الساعة: | 40MHz |
| رقم جزء القاعدة: | 4013 |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لHEC4013BT,118
Latest الأخبار
- أطلقت Qorvo التمهيدية الراقية ذات 5G Mmimo الرائعة في هذا المجال
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC