H6503NLT متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل H6503NLT، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل H6503NLT عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء H6503NLT مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
H6503NLT
- رقم القطعة:
- H6503NLT
- وصف:
- COMMON MODE CHOKE 2LN SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 45620 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- H6503NLT.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| تقييم الجهد - العاصمة: | - |
| تقييم الجهد - AC: | - |
| حجم / البعد: | 0.245" L x 0.365" W (6.22mm x 9.27mm) |
| سلسلة: | - |
| تصنيفات: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | Vertical, 8 Gull Wing |
| درجة حرارة التشغيل: | 0°C ~ 70°C |
| عدد من خطوط: | 2 |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| ارتفاع (ماكس): | 0.220" (5.60mm) |
| نوع فلتر: | Power Line |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | 2 Line Common Mode Choke Surface Mount DCR 300 mOhm |
| دس المقاومة (دكر) (ماكس): | 300 mOhm |
| بطاقة سمك (مم): | - |
| الموافقات: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لH6503NLT
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل