GLFR1608TR55M-LR متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GLFR1608TR55M-LR، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GLFR1608TR55M-LR عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GLFR1608TR55M-LR مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GLFR1608TR55M-LR
- رقم القطعة:
- GLFR1608TR55M-LR
- الصانع:
- TDK Corporation
- وصف:
- FIXED IND 550NH 1.1A 50 MOHM SMD
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 51776 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GLFR1608TR55M-LR.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - انهيار: | 0603 (1608 Metric) |
| استعمال: | Shielded |
| اكتب: | Wirewound |
| حجم / البعد: | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
| سلسلة: | GLFR |
| بنفايات الحالة: | Tape & Reel (TR) |
| تصنيفات: | - |
| الاستقطاب: | 0603 (1608 Metric) |
| اسماء اخرى: | 445-6159-2 GLFR1608TR55MLR |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 105°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | GLFR1608TR55M-LR |
| ارتفاع - جلوسا (ماكس): | 0.039" (1.00mm) |
| نوع الأجهزة: | 550nH |
| تردد - اختبار: | - |
| تردد - الذاتي الرنين: | 50 mOhm |
| وصف موسع: | 550nH Shielded Wirewound Inductor 1.1A 50 mOhm 0603 (1608 Metric) |
| ESR (مقاومة السلسلة المكافئة): | ±20% |
| قطر - الكتف: | - |
| وصف: | FIXED IND 550NH 1.1A 50 MOHM SMD |
| DC المقاومة (DCR): | 250mA |
| التصويت الحالي: | 1.1A |
| الحالي - التشبع: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGLFR1608TR55M-LR
Latest الأخبار
- جرد دورة المحاكاة في القاع
- خطة Micron لبناء مصنع ، ذاكرة فلاش NAND بأسعار أو صيانة مرتفعة
- يتم تقليل أداء ADI ، وقد ارتفعت ركائز رقائق النحاس ، وتخزين المصنع الأصلي زيادة الإنتاج المحافظ
- موجة الذكاء في السيارة قادمة ، وساعد Aimus Oslang ساجيتا Juguang في إطلاق MX Lidar
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل