GKN240/04 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GKN240/04، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GKN240/04 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GKN240/04 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GKN240/04
- رقم القطعة:
- GKN240/04
- الصانع:
- GeneSiC Semiconductor
- وصف:
- DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 43407 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- 1.GKN240/04.pdf2.GKN240/04.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1.4V @ 60A |
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 400V |
| تجار الأجهزة حزمة: | DO-205AB, DO-9 |
| سرعة: | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | DO-205AB, DO-9, Stud |
| اسماء اخرى: | GKN240/04GN GKN24004 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 180°C |
| تصاعد نوع: | Chassis, Stud Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف تفصيلي: | Diode Standard 400V 320A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9 |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 60mA @ 400V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 320A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGKN240/04
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 | تحقيق |
|
GKN71/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 95A DO5 | تحقيق |
 |
GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA | تحقيق |
|
GKN26/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 25A DO4 | تحقيق |
 |
GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB | تحقيق |
|
GKN26/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DO4 | تحقيق |
|
GKN26/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 25A DO4 | تحقيق |
|
GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 | تحقيق |
|
GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA | تحقيق |
|
GKN71/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 95A DO5 | تحقيق |
|
GKN71/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 95A DO5 | تحقيق |
 |
GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 25A DO4 | تحقيق |
|
GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205 | تحقيق |
|
GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205 | تحقيق |
|
GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB | تحقيق |
|
GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 | تحقيق |
|
GKN71/08 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 800V 95A DO5 | تحقيق |
|
GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA | تحقيق |
|
GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205 | تحقيق |
|
GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor | DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل