GBU6D-BP متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل GBU6D-BP، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل GBU6D-BP عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء GBU6D-BP مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
GBU6D-BP
- رقم القطعة:
- GBU6D-BP
- وصف:
- RECT BRIDGE GPP 6A 200V GBU
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 25872 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- GBU6D-BP.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| الجهد - قمة عكسي (ماكس): | 200V |
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 1V @ 3A |
| تكنولوجيا: | Standard |
| تجار الأجهزة حزمة: | GBU |
| سلسلة: | - |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-SIP, GBU |
| اسماء اخرى: | GBU6D-BPMS GBU6DBP |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| نوع الصمام الثنائي: | Single Phase |
| وصف تفصيلي: | Bridge Rectifier Single Phase Standard 200V Through Hole GBU |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 5µA @ 200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 6A |
| رقم جزء القاعدة: | GBU6D |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لGBU6D-BP
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل