G9TB-K1ATW-E DC12 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل G9TB-K1ATW-E DC12، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل G9TB-K1ATW-E DC12 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء G9TB-K1ATW-E DC12 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
G9TB-K1ATW-E DC12
- رقم القطعة:
- G9TB-K1ATW-E DC12
- الصانع:
- Omron
- وصف:
- RELAY GEN PURPOSE SPST 120A 12V
- كمية المخزون:
- 40472 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- G9TB-K1ATW-E DC12.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 9.6 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | - |
| إنهاء نمط: | PC Pin, Weld Terminal |
| تحويل الجهد: | 276VAC - Max |
| سلسلة: | G9TB |
| الافراج عن الوقت: | 20ms |
| نوع التقوية: | General Purpose |
| التعبئة والتغليف: | Tray |
| اسماء اخرى: | G9TB-K1ATW-E DC12 BYOMI G9TBK1ATWEDC12 G9TBK1ATWEDC12BYOMI Z8841 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تعمل وقت: | 20ms |
| تصاعد نوع: | Free Hanging |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 7 Weeks |
| الميزات: | UL Pending |
| وصف تفصيلي: | General Purpose Relay SPST-NO (1 Form A) 12VDC Coil Free Hanging |
| اتصل التصويت (الحالي): | 120A |
| اتصل المواد: | Silver Alloy |
| نموذج الاتصال: | SPST-NO (1 Form A) |
| لفائف الجهد: | 12VDC |
| لفائف نوع: | Latching, Dual Coil |
| لفائف المقاومة: | 26.6 Ohms |
| لفائف السلطة: | 5.4 W |
| لفائف الحالي: | 451mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لG9TB-K1ATW-E DC12
Latest الأخبار
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل
- تطلق فيشاي عبوات مائية عالية السطوع صغير الأزرق والأخضر النقي
- أطلقت Ansonmei مستشعر موقف استقرائي لسوق الصناعي والنقل
- يبدأ Ruisa المصنع القديم لزيادة جهاز الطاقة ، ويؤثر الزلزال على معتدل ناتج DRAM
- تتيح الرقائق الدقيقة القدرة الإنتاجية لـ TSMC ويزيد من زيادة الأسعار