G6S-2F DC4.5 متاح الآن!تقنية LYNTEAM هي موزع التخزين ل G6S-2F DC4.5، لدينا مخزونات للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتزويد وقت طويل.الرجاء ارسال لنا خطة الشراء الخاصة بك ل G6S-2F DC4.5 عبر البريد الإلكتروني، وسنقدم لك أفضل سعر وفقا لخطتك.
شراء G6S-2F DC4.5 مع LYNTEAM، وفر أموالك والوقت.
بريدنا الإلكتروني: [email protected]
G6S-2F DC4.5
- رقم القطعة:
- G6S-2F DC4.5
- الصانع:
- Omron
- وصف:
- RELAY TELECOM DPDT 2A 250V
- حالة خالية من الرصاص:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- كمية المخزون:
- 48584 Pieces
- موعد التسليم:
- 1-2 days
- المهلة:
- 4-8 weeks
- ورقة البيانات:
- G6S-2F DC4.5.pdf
المقدمة
مواصفات
| شرط | New & Original, tested |
|---|---|
| بلد المنشأ | Contact us |
| بمناسبة التعليمات البرمجية | Send by email |
| بدوره على الجهد (ماكس): | 3.38 VDC |
| إيقاف الجهد (الحد الأدنى): | 0.45 VDC |
| إنهاء نمط: | Gull Wing |
| تحويل الجهد: | 250VAC, 220VDC - Max |
| سلسلة: | G6S |
| الافراج عن الوقت: | 4ms |
| نوع التقوية: | Telecom |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| اسماء اخرى: | G6H 1083H G6S 1030E G6S-2F DC4.5 BY OMR G6S-2F DC4.5BYOMR G6S-2F-DC4.5 G6S-2F-DC4.5-ND G6S-2F-DC4.5BYOMR G6S2F45DC G6S2FDC4.5 G6S2FDC4.5BYOMZ G6S2FDC45 G6S2FDC45BYOMR Z2857 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 85°C |
| تعمل وقت: | 4ms |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 3 (168 Hours) |
| الصانع المهلة القياسية: | 16 Weeks |
| حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
| الميزات: | - |
| وصف تفصيلي: | Telecom Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount |
| اتصل التصويت (الحالي): | 2A |
| اتصل المواد: | Silver (Ag), Gold (Au) |
| نموذج الاتصال: | DPDT (2 Form C) |
| لفائف الجهد: | 4.5VDC |
| لفائف نوع: | Non Latching |
| لفائف المقاومة: | 145 Ohms |
| لفائف السلطة: | 140 mW |
| لفائف الحالي: | 31.0mA |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لG6S-2F DC4.5
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
G6S-2F DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
 |
G6S-2-Y DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC9 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F DC6 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F DC3 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-10-TRDC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-TR DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC3 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-10DC24 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-3 DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-3-TR DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-JM-TR DC12 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC6 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F-TR DC4 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F DC5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2F DC48 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
|
G6S-2-Y DC4.5 | Omron | RELAY TELECOM DPDT 2A 250V | تحقيق |
Latest الأخبار
- يتم استبعاد طاقة إنتاج HBM ، وقد تكون ذاكرة DRAM مختصرة في النصف الثاني من العام
- سينتهي مؤسسو الجدران أو HBM أو يتسبب في ارتفاع DRAM مرة أخرى
- الطلب على الهاتف المحمول وتوسيع أجهزة الكمبيوتر الشخصية ، تحسين صناعة تصنيع أشباه الموصلات العالمية
- فهم احتياجات أنظمة مراقبة ADAS وأنظمة المقصورة لأجهزة استشعار صور أمان الشبكة
- يشاع أن Samsung و SK Hynix أوقفوا DDR3 ، وارتفع اقتباس الترويج بنسبة 20 ٪
- أصدرت Melexis MLX90427: التحكم في الخط في الاختيار الجديد ، آمن وفعال واقتصادي
- أعلن التقرير المالي لـ NXP و Ansonmei ، ويتم إرسال سعر أسعار النحاس إلى صناعة IC
- أنشأت Moels Micro Electronics مكاتب جديدة في تايوان ، الصين لتوسيع أراضي العمل
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- يتناقص التقرير المالي للربع الأول من SEF Semiconductor (ST) ، وتباطأ الطلب على السيارات
- لا يزال يتعين تعزيز أداء Texas Instruments ، ويدفع مصنعان التخزين منتجات ذاكرة فلاش جديدة
- حجم الرقاقة الناضجة المحلية ، سعة إنتاج ذاكرة فلاش Samsung NAND بالقرب من الحمل